技术“大拿”三星 高通同时被诉专利侵权

　　[中国家电网]北京时间12月1日消息，据外媒报道，韩国科学技术院(KAIST)的知识产权管理公司KAIST IP，已于当地时间11月29日向美国得克萨斯州联邦法院对三星电子美国法人及格罗方德(GlobalFoundries)、高通(Qualcomm)等3家企业提起专利侵害诉讼，要求对方支付相关半导体技术的专利使用费。

　　KAIST方面称，以上三家企业在未经许可的情况下擅自使用了首尔大学电气信息工程系教授李钟浩(Lee Jong ho)和KAIST共同拥有的半导体制造工艺技术。

　　据了解，该技术就是被称为“FinFET”的超小型晶体管，是智能手机处理器的关键技术。FinFET技术不仅可以提高半导体的集成程度，还可以在保持稳定性能的同时降低电力功耗。

　　目前，该技术已经被多家企业应用在半导体产品中。美国英特尔公司2011年就在产品中使用了FinFET技术，并于2012年通过签订合同支付费用的方式正式获得了特许使用权。

　　据悉，三星电子和格罗方德、台湾的TSMC(积电)也以FinFET为基础制造手机半导体芯片，其中三星电子目前在包括“Galaxy”系列在内的10多款手机型号上都在使用FinFET。另外，世界半导体巨头高通也一直从三星电子和格罗方德那里得到相关产品的供应。

　　“三星通过擅自盗用这项发明大大降低了开发时间和成本，不过李钟浩教授发明者的地位和相关权益却没得到补偿。”KAIST方面表示，虽然FinFET开发当时提出了协约，但三星电子并没有接受，在2013年以后开始使用FinFET制造手机半导体后拒绝支付专利使用费。三星方面人士称，“案件正在诉讼中，因此不便发表意见。”

　　除了对三星、格罗方德和高通3家企业提起专利侵害诉讼之外，韩国科学技术院还计划起诉台湾半导体制造商台积电。据了解，目前专利侵权证据正在准备当中。(薛奎)