近日,韩国 KB 证券发布 9 月 7 日研报指出,受 AI 基础设施投资浪潮驱动,全球存储芯片市场正面临历史性供应危机,两大存储巨头库存已经告急,行业或将迎来供需格局重大转折。
研报显示,三星电子、SK 海力士当前存储芯片库存降至不足 10 天。机构预测,明年 DRAM、NAND 比特需求将超出供应 10 个百分点以上,市场可销售实物存储芯片存在耗尽风险,研究本部长 Kim Dong‑won 将该局面定义为 “历史性短缺”。
需求端,AI 商业化落地带动云厂商资本开支大幅抬升,预计明年全球 AI 基础设施投资规模可达 1.3 万亿美元,同比增长约 60%。存储芯片在 AI 基建投资中的占比快速抬升,将由 2024 年 14% 攀升至 2026 年 57%,集邦科技则预判该占比可达 68%。HBM4 容量迭代、服务器 DRAM、企业级 SSD 三重需求共振,持续放大存储消耗。
供给端出现结构性矛盾。HBM4 生产消耗大量晶圆资源,单片 HBM4 晶圆产能相当于三片通用 DRAM 晶圆。厂商加大 HBM4 扩产,直接挤压通用 DRAM 晶圆供给,在晶圆总产能约束下,进一步加剧明年存储芯片供应紧张,存储芯片价格具备上行基础。
尽管产业基本面向好,三星电子与 SK 海力士近三个月股价自高点回落 38%,对应明年业绩市盈率仅约 3 倍,KB 证券判断两家企业处于 “极度低估” 状态,将其列为半导体板块首选标的,认为后续有望迎来估值重估行情。