集成芯片成半导体竞争核心 中国多环节突破追赶

　　随着摩尔定律逼近物理极限，以 3D/2.5D IC 为核心的芯片集成技术正重塑半导体产业格局。据 Future Market Insights 报告，2025 至 2035 年该市场将以 9.0% 年复合增长率扩张，从 583 亿美元增至 1380 亿美元，中国以 12.2% 增速领跑全球。

　　集成芯片通过芯粒异构集成与先进封装，实现性能、功耗与成本优化，缓解 "内存墙" 等瓶颈，其重要性正超越制造环节。在设计端，华大九天推出 Empyrean Storm 平台，支持 HBM 等协议多芯片自动布线;芯和半导体仿真工具可实现系统级信号与电磁分析，打破国际 EDA 厂商垄断。

　　设备领域，混合键合技术成竞争焦点。荷兰 BESI、ASMPT 占据先发优势，而中国厂商加速突围：拓荆科技已实现国产键合设备装机量第一，推出多系列键合及量测设备并获重复订单;迈为股份全自动晶圆级混合键合设备已交付客户。

　　存算一体作为重要应用方向，国内企业成果显著。后摩智能 "漫界 M50" 芯片支持千亿参数模型运行，知存计算量产 NOR Flash 存算一体芯片。国际上，台积电、三星等争相布局 3D IC 组件，SK 海力士、三星则将混合键合用于 HBM 研发。

　　从 EDA 到设备再到应用，中国在集成芯片产业链关键环节多点突破，正这场决定产业未来的竞赛中奋力追赶。